三星2月启动HBM4供货英伟达打响AI算力内存突围战

时间：2026-01-26人气：作者：小鱼

2026年1月26日，全球半导体圈迎来重磅快讯：三星电子确认将于2月启动下一代高带宽存储芯片HBM4的量产，并优先向英伟达供货。消息发布后，三星股价应声上涨逾2%，而竞争对手SK海力士股价下跌近3%，行业格局异动凸显此事件的战略分量。

此次供货并非普通订单交付，而是AI算力竞赛进入深水区的关键信号。当前HBM芯片供需缺口持续扩大，英伟达下一代Rubin平台即将落地，CES 2026更将HBM4推向产业风口，三星的率先量产被业内视作AI第二波浪潮的“发令枪”。此前在HBM3E时代落后的三星，此次凭借技术突围实现弯道超车——针对英伟达提出的11Gb/s单引脚速度要求，三星祭出1c DRAM制程工艺，较行业主流的1b工艺晶体管密度提升15%、功耗降低10%以上。

封装技术路线的差异成为胜负手。三星押注的混合键合技术，较SK海力士的传统MR-MUF方案优势显著，其HBM4产品在博通主持的测试中成功突破11Gb/s门槛，表现位列三大存储厂商之首。更值得关注的是，三星实现了从DRAM制造、4nm逻辑芯片到3D封装的全流程自研，将信号传输路径缩短30%，为高性能输出奠定基础。

这一突破正重塑全球HBM供应链格局。2025年第二季度SK海力士仍以62%的市占率主导市场，三星仅占17%；但到第三季度，三星市占率回升至22%，重夺全球第二。此次供货英伟达后，2026年全球HBM4供应格局初显：SK海力士锁定约70%份额，三星目标抢占剩余30%以上需求，英伟达的多供应商策略也将重构产业链议价权。受产能倾斜影响，传统DDR5内存价格已在2026年Q1环比暴涨55%-60%，AI算力需求对存储产业的价值重构效应持续发酵。

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标签：三星HBM4；英伟达；AI算力；半导体供应链；混合键合技术